商品名稱:LMG5200MOFR
數(shù)據(jù)手冊(cè):LMG5200MOFR.pdf
品牌:TI
年份:23+
封裝:9-QFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
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LMG5200MOFR 器件集成了 80V、10A 驅(qū)動(dòng)器和 GaN 半橋功率級(jí),采用增強(qiáng)模式氮化鎵 (GaN) FET 提供了一套集成功率級(jí)解決方案。該器件包含兩個(gè) 80V GaN FET,它們由采用半橋配置的同一高頻 GaN FET 驅(qū)動(dòng)器提供驅(qū)動(dòng)。
產(chǎn)品屬性:
輸出配置:半橋
應(yīng)用:同步降壓轉(zhuǎn)換器
接口:邏輯
負(fù)載類型:電感
技術(shù):NMOS
導(dǎo)通電阻(典型值):15 毫歐 LS,15 毫歐 HS
電流 - 輸出/通道:10A
電流 - 峰值輸出:-
電壓 - 供電:4.75V ~ 5.25V
電壓 - 負(fù)載:80V
工作溫度:-40°C ~ 125°C(TJ)
特性:自舉電路
故障保護(hù):UVLO
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:9-QFN
供應(yīng)商器件封裝:9-QFN(8x6)
基本產(chǎn)品編號(hào):LMG5200
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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