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HMC849ALP4CE是一款高隔離非反射DC至6 GHz GaAs pHEMT SPDT開關,采用低成本無引腳表貼封裝。 該開關非常適合蜂窩/WiMAX/4G基礎設施應用,實現(xiàn)高達60 dB的隔離、0.8 dB的低插入損耗和+52 dBm的輸入IP3。 在最高5 - 6 GHz WiMAX頻段內(nèi),該器件具有很高的功率處理能力,另外提供+31 dBm的P1dB壓縮點性能。 片內(nèi)電路可在極低直流電流下實現(xiàn)0/+3V或0/+5V單正電壓控制。 使能輸入(EN)設為邏輯高電平可將該開關置于“全關”狀態(tài)。
HMC849ALP4CE 的特性:
高隔離度: 最高60 dB
單正控制電壓: 0/+3V至+5V
高輸入IP3: +52 dBm
非反射式設計
“全關”狀態(tài)
16引腳4x4mm SMT封裝: 16mm2
典型應用
HMC849ALP4CE 適用于:
蜂窩/4G基礎設施
WiMAX、WiBro與固定無線
汽車遠程信息系統(tǒng)
移動無線電
測試設備
HMC849ALP4CE 技術參數(shù):
開關配置: SPDT
最小頻率: 0 Hz
最大頻率: 6 GHz
介入損耗: 1.8 dB
關閉隔離—典型值: 50 dB
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: QFN-16
技術: GaAs
系列: HMC849
開關數(shù)量: Dual
工作電源電流: 1.3 mA
Pd-功率耗散: 969 mW
電源電壓-最大: 5 V
電源電壓-最小: 3 V
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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