NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench? MOSFET設(shè)計用于處理大電流,這對于直流-直流電源轉(zhuǎn)換級至關(guān)重要。這款40V、207A、單N溝道功率MOSFET具有更低的導通電阻、更高的功率密度以及出色的散熱性能。該屏蔽柵極溝槽設(shè)計具有超低柵極電荷和1.3mΩ RDS(on) 。緊湊型3.3mmx3.3mm下源雙冷第二代封裝無鉛、無鹵、無BFR,符合RoHS指令。該NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench MOSFET設(shè)計用于為數(shù)據(jù)中心和云應用提供高效解決方案。
主要規(guī)格
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):40 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):207A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):1.3 毫歐 @ 24A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 120μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):28 nC @ 6 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):3480 pF @ 20 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):107W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
封裝:9-WDFN(3.3x3.3)
應用領(lǐng)域
NTTFSSCH1D3N04XL主要用于人工智能數(shù)據(jù)中心的直流-直流轉(zhuǎn)換器 (DC/DC),支持多級電壓轉(zhuǎn)換方案中的大電流處理。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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